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一、中國半導(dǎo)體器件型號命名方法
半導(dǎo)體器件型號由五部分（場效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分）組成。

五個部分意義如下：

第一部分：用數(shù)字表示半導(dǎo)體器件有效電極數(shù)目。2-二極管、3-三極管
第二部分：用漢語拼音字母表示半導(dǎo)體器件的材料和極性。

1、表示二極管時：A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。

2、表示三極管時：A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用漢語拼音字母表示半導(dǎo)體器件的內(nèi)型。

P-普通管、

V-微波管、W-穩(wěn)壓管、C-參量管、

Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、

N-阻尼管、U-光電器件、K-開關(guān)管、

X-低頻小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、

G-高頻小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、

D-低頻大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、

A-高頻大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、

T-半導(dǎo)體晶閘管（可控整流器）、

Y-體效應(yīng)器件、B-雪崩管、J-階躍恢復(fù)管、

CS-場效應(yīng)管、BT-半導(dǎo)體特殊器件、FH-復(fù)合管、

PIN-PIN型管、JG-激光器件。

二、日本半導(dǎo)體分立器件型號命名方法
    日本生產(chǎn)的半導(dǎo)體分立器件，由五至七部分組成。通常只用到前五個部分，其各部分的符號意義如下：
第一部分：用數(shù)字表示器件有效電極數(shù)目或類型。

0-光電（即光敏）二極管三極管及上述器件的組合管、

1-二極管、

2三極或具有兩個pn結(jié)的其他器件、

3-具有四個有效電極或具有三個pn結(jié)的其他器件、┄┄依此類推。
第二部分：日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA注冊標(biāo)志。

S-表示已在日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA注冊登記的半導(dǎo)體分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料極性和類型。

A-PNP型高頻管、

B-PNP型低頻管、

C-NPN型高頻管、

D-NPN型低頻管、

F-P控制極可控硅、

G-N控制極可控硅、

H-N基極單結(jié)晶體管、

J-P溝道場效應(yīng)管、

K-N 溝道場效應(yīng)管、

M-雙向可控硅。
第四部分：用數(shù)字表示在日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA登記的順序號。兩位以上的整數(shù)-從“11”開始，表示在日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA登記的順序號；不同公司的性能相同的器件可以使用同一順序號；數(shù)字越大，越是近期產(chǎn)品。
第五部分：用字母表示同一型號的改進(jìn)型產(chǎn)品標(biāo)志。A、B、C、D、E、F表示這一器件是原型號產(chǎn)品的改進(jìn)產(chǎn)品。

三、美國半導(dǎo)體分立器件型號命名方法
    美國晶體管或其他半導(dǎo)體器件的命名法較混亂。美國電子工業(yè)協(xié)會半導(dǎo)體分立器件命名方法如下：
第一部分：用符號表示器件用途的類型。

JAN-軍級、JANTX-特軍級、JANTXV-超特軍級、JANS-宇航級、（無）-非軍用品。
第二部分：用數(shù)字表示pn結(jié)數(shù)目。1-二極管、2=三極管、3-三個pn結(jié)器件、n-n個pn結(jié)器件。
第三部分：美國電子工業(yè)協(xié)會（EIA）注冊標(biāo)志。N-該器件已在美國電子工業(yè)協(xié)會（EIA）注冊登記。
第四部分：美國電子工業(yè)協(xié)會登記順序號。多位數(shù)字-該器件在美國電子工業(yè)協(xié)會登記的順序號。
第五部分：用字母表示器件分檔。A、B、C、D、┄┄-同一型號器件的不同檔別。

如：JAN2N3251A表示PNP硅高頻小功率開關(guān)三極管，JAN-軍級、2-三極管、N-EIA 注冊標(biāo)志、3251-EIA登記順序號、A-2N3251A檔。

四、國際電子聯(lián)合會半導(dǎo)體器件型號命名方法
    德國、法國、意大利、荷蘭、比利時等歐洲國家以及匈牙利、羅馬尼亞、南斯拉夫、波蘭等東歐國家，大都采用國際電子聯(lián)合會半導(dǎo)體分立器件型號命名方法。這種命名方法由四個基本部分組成，各部分的符號及意義如下：
第一部分：用字母表示器件使用的材料。

A-器件使用材料的禁帶寬度Eg=0.6~1.0eV 如鍺、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV 如硅、C-器件使用材料的Eg>1.3eV 如砷化鎵、D-器件使用材料的Eg<0.6eV 如銻化銦、E-器件使用復(fù)合材料及光電池使用的材料
第二部分：用字母表示器件的類型及主要特征。

A-檢波開關(guān)混頻二極管、B-變?nèi)荻�極管、C-低頻小功率三極管、

D-低頻大功率三極管、E-隧道二極管、F-高頻小功率三極管、

G-復(fù)合器件及其他器件、H-磁敏二極管、K-開放磁路中的霍爾元件、

L-高頻大功率三極管、M-封閉磁路中的霍爾元件、

P-光敏器件、Q-發(fā)光器件、R-小功率晶閘管、S-小功率開關(guān)管、

T-大功率晶閘管、U-大功率開關(guān)管、X-倍增二極管、

Y-整流二極管、Z-穩(wěn)壓二極管。
第三部分：用數(shù)字或字母加數(shù)字表示登記號。三位數(shù)字-代表通用半導(dǎo)體器件的登記序號、一個字母加二位數(shù)字-表示專用半導(dǎo)體器件的登記序號。
第四部分：用字母對同一類型號器件進(jìn)行分檔。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型號的器件按某一參數(shù)進(jìn)行分檔的標(biāo)志。
除四個基本部分外，有時還加后綴，以區(qū)別特性或進(jìn)一步分類。常見后綴如下：
1、穩(wěn)壓二極管型號的后綴。其后綴的第一部分是一個字母，表示穩(wěn)定電壓值的容許誤差范圍，字母A、B、C、D、E分別表示容許誤差為±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；其后綴第二部分是數(shù)字，表示標(biāo)稱穩(wěn)定電壓的整數(shù)數(shù)值；后綴的第三部分是字母V，代表小數(shù)點(diǎn)，字母V之后的數(shù)字為穩(wěn)壓管標(biāo)稱穩(wěn)定電壓的小數(shù)值。
2、整流二極管后綴是數(shù)字，表示器件的最大反向峰值耐壓值，單位是伏特。
3、晶閘管型號的后綴也是數(shù)字，通常標(biāo)出最大反向峰值耐壓值和最大反向關(guān)斷電壓中數(shù)值較小的那個電壓值。
如：BDX51-表示NPN硅低頻大功率三極管，AF239S-表示PNP鍺高頻小功率三極管。

五、歐洲早期半導(dǎo)體分立器件型號命名法

歐洲有些國家，如德國、荷蘭采用如下命名方法：
第一部分：O-表示半導(dǎo)體器件
第二部分：A-二極管、C-三極管、AP-光電二極管、CP-光電三極管、AZ-穩(wěn)壓管、RP-光電器件。
第三部分：多位數(shù)字-表示器件的登記序號。
第四部分：A、B、C┄┄-表示同一型號器件的變型產(chǎn)品。
俄羅斯半導(dǎo)體器件型號命名法由于使用少，在此不介紹。